Datasheet > LBC817-25LT3G

LBC817-25LT3G

更新时间： 2024-11-22 01:11:39

品牌	Logo	应用领域
乐山 - LRC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	287K
描述
General Purpose Transistors NPN Silicon

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

LBC817-25LT3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

LBC817-25LT3G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

GeneralPurposeTransistors

NPNSilicon

LBC817-16LT1G

LBC817-25LT1G

We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

•

LBC817-40LT1G

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

Value

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

SOT–23

5.0

500

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

COLLECTOR

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P _D

BASE

225

1.8

mW/°C

°C/W

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R _θJA

P _D

556

EMITTER

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

300

2.4

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R _θJA

417

T _J, T _stg

–55 to +150

DEVICE MARKING

LBC817–16LT1G = 6A; LBC817–25LT1G = 6B; LBC817–40LT1G = 6C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= 10 mA)

V _(BR)CEO

—

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(V_EB= 0, I_C= 10 µA)

V _(BR)CES

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= 1.0 µA)

V _(BR)EBO

I _CBO

5.0

Collector Cutoff Current

(V_CB= 20 V)

—

100

5.0

(V_CB= 20 V, T_A= 150°C)

µA

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

Rev.O 1/10

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

LBC817-25LT3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SBC817-25LT1G	ONSEMI	功能相似	NPN 双极晶体管
SBC817-25LT3G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors NPN Silicon Colle
LBC817-25LT1G	LRC	功能相似	General Purpose Transistors NPN Silicon

与LBC817-25LT3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LBC817-25WT1G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors RoHS requirements.
LBC817-25WT3G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors RoHS requirements.
LBC817-40DMT1G	LRC	获取价格	Dual General Purpose Transistors NPN Duals
LBC817-40DPMT1G	LRC	获取价格	Dual General Purpose Transistors NPN/PNP Duals
LBC817-40LT1	LRC	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
LBC817-40LT1G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
LBC817-40LT3G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
LBC817-40WT1G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
LBC846	LRC	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
LBC846A	LRC	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon

与LBC817-25LT3G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

28
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

21
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

50
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

48

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

LBC817-25LT3G

LBC817-25LT3G 技术参数

LBC817-25LT3G 数据手册

LBC817-25LT3G 替代型号

与LBC817-25LT3G相关器件

与LBC817-25LT3G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

LBC817-25LT3G

LBC817-25LT3G 技术参数

LBC817-25LT3G 数据手册

LBC817-25LT3G 替代型号

与LBC817-25LT3G相关器件

与LBC817-25LT3G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？