5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > LBC807-16DMT1G
LBC807-16DMT1G PDF预览

LBC807-16DMT1G

更新时间： 2024-11-21 12:26:39
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 173K
描述
Dual General Purpose Transistors PNP Duals

阅读下载

中文翻译

获取价格

LBC807-16DMT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.71最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.6 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

LBC807-16DMT1G 数据手册

 浏览型号LBC807-16DMT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LBC807-16DMT1G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
DualGeneralPurposeTransistors  
PNPDuals  
LBC807-16DMT1G  
LBC807-25DMT1G  
LBC807-40DMT1G  
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.  
•
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
V CEO  
V CBO  
V EBO  
I C  
Value  
45  
Unit  
V
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current — Continuous  
50  
V
5.0  
V
SC-74  
500  
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
6
Q1  
1
5
4
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)  
TA = 25°C  
P D  
370  
3.0  
mW  
mW/°C  
°C/W  
Q2  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R θJA  
P D  
333  
3
2
Alumina Substrate, (2) TA = 25°C  
Derate above 25°C  
600  
4.8  
mW  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R θJA  
208  
T J , T stg  
–55 to +150  
DEVICE MARKING  
LBC807–16DMT1G = 5A; LBC807–25DMT1G = 5B; LBC807–40DMT1G = 5C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(IC = –10 mA)  
V (BR)CEO  
45  
50  
—
—
—
—
—
—
V
V
V
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(VEB = 0, IC = –10 µA)  
V (BR)CES  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I E = –1.0 µA)  
V (BR)EBO  
I CBO  
5.0  
Collector Cutoff Current  
(VCB = 20 V)  
—
—
—
—
100  
5.0  
nA  
(VCB = 20 V, TA = 150°C)  
µA  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
Rev.O 1/3  
123

中文翻译

下载PDF

与LBC807-16DMT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LBC807-16LT1 LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon
LBC807-16LT1G LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon
LBC807-16LT1G_11 LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon
LBC807-16LT3G LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon
LBC807-16WT1G LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon
LBC807-16WT3G LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon
LBC807-25DMT1G LRC

获取价格

 		Dual General Purpose Transistors PNP Duals
LBC807-25LT1 LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon
LBC807-25LT1G LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon
LBC807-25LT3G LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon

与LBC807-16DMT1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证