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LBAV99LT3G

更新时间： 2024-11-29 03:50:31
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管开关
页数 文件大小 规格书
5页 313K
描述
Dual Series Switching Diode

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LBAV99LT3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.69
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.715 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流：2 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.215 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.225 W
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向恢复时间：0.006 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

LBAV99LT3G 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
LBAV99LT1G  
Dual Series Switching Diode  
3
•
We declare that the material of product  
compliance with RoHS requirements.  
1
2
DEVICE MARKING ORDERING INFORMATION  
Device  
Marking  
A7  
Shipping  
SOT–23  
LBAV99LT1G  
LBAV99LT3G  
3000 Tape & Reel  
10000 Tape & Reel  
.
2
1
A7  
CATHODE  
ANODE  
3
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
CAHODE/ANODE  
Rating  
Symbol  
V R  
Value  
70  
Unit  
Reverse Voltage  
Vdc  
mAdc  
mAdc  
V
Forward Current  
I F  
215  
500  
70  
Peak Forward Surge Current  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current (1)  
(averaged over any 20 ms period)  
Repetitive Peak Forward Current  
Non–Repetitive Peak Forward Current  
t = 1.0 µ s  
I FM(surge)  
V RRM  
I F(AV)  
715  
450  
mA  
I FRM  
I FSM  
mA  
A
2.0  
1.0  
0.5  
t = 1.0 ms  
t = 1.0 S  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
P D  
225  
mW  
FR–5 Board, (1) T A = 25°C  
Derate above 25°C  
1.8  
mW/°C  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R θJA  
P D  
556  
300  
°C/W  
mW  
Alumina Substrate, (2) T A = 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R θJA  
417  
°C/W  
°C  
T J , T stg  
–65 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage(I(BR) = 100 µA)  
Reverse Voltage Leakage Current (V R = 70 Vdc)  
(V R = 25 Vdc, T J = 150°C)  
(V R = 70 Vdc, T J = 150°C)  
Diode Capacitance  
V (BR)  
I R  
70  
—
––  
––  
—
2.5  
30  
50  
Vdc  
µAdc  
C D  
V F  
—
1.5  
pF  
(V R = 0, f = 1.0 MHz)  
Forward Voltage (I F = 1.0 mAdc)  
(I F = 10 mAdc)  
––  
—
––  
––  
715  
855  
mVdc  
(I F = 50 mAdc)  
1000  
1250  
(I F = 150 mAdc)  
Reverse Recovery Time  
t rr  
—
—
6.0  
ns  
V
(I F = I R = 10 mAdc, i R(REC) = 1.0 mAdc, R L = 100Ω ) (Figure 1)  
Forward Recovery Voltage  
(I F = 10 mA, t r = 20 ns)  
V FR  
1.75  
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
1/3  
12345

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