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LBAV70WT1G

更新时间： 2024-11-29 11:39:51
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管开关光电二极管
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4页 85K
描述
Dual Switching Diodes

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LBAV70WT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.715 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流：0.5 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.2 W
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向恢复时间：0.006 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

LBAV70WT1G 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Dual Switching Diodes  
LBAV70WT1  
FEATURE  
ƽSmall plastic SMD package.  
ƽFor high-speed switching applications.  
ƽPb-Free Package is available.  
3
1
2
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION  
SOT–323 (SC–70)  
Device  
Marking  
Shipping  
LBAV70WT1  
A4  
3000/Tape&Reel  
ANODE  
2
ANODE  
1
A4  
(Pb-Free)  
LBAV70WT1G  
3000/Tape&Reel  
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
CATHODE  
Rating  
Reverse Voltage  
Forward Current  
Symbol  
Max  
Unit  
V R  
IF  
70  
Vdc  
mAdc  
mAdc  
200  
500  
Peak Forward Surge Current  
IFM(surge)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR–5 Board(1)  
PD  
200  
mW  
TA = 25°C  
Derate above 25°C  
1.6  
0.625  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
RθJA  
PD  
Alumina Substrate(2) TA = 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
RθJA  
TJ, Tstg  
–55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
(I(BR) = 100 µAdc)  
V
(BR)  
70  
—
Vdc  
Reverse Voltage Leakage Current  
(V  
(V  
R
= 70 Vdc)  
= 50 Vdc)  
I
R1  
R2  
—
—
—
5.0  
100  
1.5  
µAdc  
nAdc  
pF  
R
I
Diode Capacitance  
(V = 0, f = 1.0 MHz)  
Forward Voltage  
C
D
R
V
F
mVdc  
(I  
(I  
(I  
(I  
F
F
F
F
= 1.0 mAdc)  
= 10 mAdc)  
= 50 mAdc)  
= 150 mAdc)  
—
—
—
—
—
715  
855  
1000  
1250  
6.0  
Reverse Recovery Time  
(I = I =10 mAdc, R = 100Ω, IR(REC)= 1.0 mAdc) (Figure 1)  
Forward Recovery Voltage  
(I = 10 mAdc, t = 20 ns) (Figure 2)  
t
rr  
ns  
V
F
R
L
V
RF  
—
1.75  
F
r
1. FR–5 = 1.0 × 0.75 × 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 × 0.3 × 0.024 in. 99.5% alumina.  
3.For each individual diode while the seeond diode is unbiased.  
LBAV70WT1-1/4  
1234

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