Datasheet > LBAT54XV2T1G

LBAT54XV2T1G

更新时间： 2024-11-29 12:26:39

品牌	Logo	应用领域
乐山 - LRC		二极管开关
页数	文件大小	规格书
3页	150K
描述
Schottky Barrier Diodes Extremely Fast Switching Speed

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

LBAT54XV2T1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.58
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.24 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	最大非重复峰值正向电流：	0.6 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.2 W
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向恢复时间：	0.005 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

LBAT54XV2T1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Schottky Barrier Diodes

LBAT54XV2T1G

These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching

applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low forward volt-

age reduces conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for

hand held and portable applications where space is limited.

• Extremely Fast Switching Speed

• Low Forward Voltage — 0.35 Volts (Typ) @ I _F= 10 mAdc

• Device Marking: JV

We declare that the material of product

compliance with RoHS requirements.

SOD-523

ORDERING INFORMATION

Device

Marking

Shipping

3000/Tape & Reel

10000/Tape & Reel

LBAT54XV2T1G

LBAT54XV2T3G

CATHODE

ANODE

MAXIMUM RATINGS (T_J=125°C unless otherwise noted )

Rating

Symbol

Value

Unit

Reverse Voltage

THERMALCHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR-5 Board,*

TA = 25°C

200

Derate above 25°C

1.57

635

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance Junction to Ambient

Junction Temperature

RθJA

125

Storage Temperature

-40 to +125

°C

stg

* FR-4 Minimum Pad

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T _A= 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)

Characteristic

Symbol

V_(BR)R

C_T

Min

—

Typ

—

Max

—

Unit

Volts

Reverse Breakdown Voltage (I _R= 10 µA)

Total Capacitance (V _R= 1.0 V, f = 1.0 MHz)

Reverse Leakage (V _R= 25 V)

—

0.5

2.0

µAdc

Vdc

Forward Voltage (I _F= 0.1 mAdc)

Forward Voltage (I _F= 1.0 mAdc)

Forward Voltage (I _F= 10 mAdc)

Forward Voltage (I _F= 30 mAdc)

Forward Voltage (I _F= 100 mAdc)

Reverse Recovery Time

V_F

—

0.22

0.29

0.35

0.41

0.52

0.24

0.32

0.40

0.5

—

1.0

t_rr

—

5.0

(I_F= I _R= 10 mAdc, I_R(REC)= 1.0 mAdc, Figure 1)

Forward Current (DC)

I_F

—

200

300

600

mAdc

Repetitive Peak Forward Current

Non–Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s)

I_FRM

I_FSM

Rev.A 1/3

12 3

中文翻译

下载PDF

与LBAT54XV2T1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LBAT54XV2T3G	LRC	获取价格	Schottky Barrier Diodes Extremely Fast Switching Speed
LBAT60BT1	LRC	获取价格	Silicon Schottky Diode
LBAT750LT1G	LRC	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
LBAV170LT1G	LRC	获取价格	Surface Mount Low Leakge Diode Ultra-Small Surface Mount Package
LBAV170LT3G	LRC	获取价格	Surface Mount Low Leakge Diode Ultra-Small Surface Mount Package
LBAV199LT1G	LRC	获取价格	Surface Mount Low Leakge Diode Ultra-Small Surface Mount Package
LBAV199LT3G	LRC	获取价格	Surface Mount Low Leakge Diode Ultra-Small Surface Mount Package
LBAV70	BL Galaxy Electrical	获取价格	0.15A,75V,Surface Mount Small Signal Switching Diodes
LBAV70LT1	LRC	获取价格	Monolithic Dual Switching Diode Common Cathode
LBAV70LT1G	LRC	获取价格	Monolithic Dual Switching Diode Common Cathode

与LBAT54XV2T1G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

49
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

67
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

63

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

LBAT54XV2T1G

LBAT54XV2T1G 技术参数

LBAT54XV2T1G 数据手册

与LBAT54XV2T1G相关器件

与LBAT54XV2T1G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

LBAT54XV2T1G

LBAT54XV2T1G 技术参数

LBAT54XV2T1G 数据手册

与LBAT54XV2T1G相关器件

与LBAT54XV2T1G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？