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LBAT54HT1G

更新时间： 2024-11-27 11:39:51

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乐山 - LRC		二极管
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3页	88K
描述
Schottky Barrier Diodes

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LBAT54HT1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PDSO-G2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.58	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.18 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
最大非重复峰值正向电流：	0.6 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.2 W
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向恢复时间：	0.005 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

LBAT54HT1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Schottky Barrier Diodes

LBAT54HT1

These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching

applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low forward volt-

age reduces conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for

hand held and portable applications where space is limited.

• Extremely Fast Switching Speed

• Low Forward Voltage — 0.35 Volts (Typ) @ I _F= 10 mAdc

• Device Marking: JV

Pb-Free Package May be Available. The G.Suffix Denotes a Pb-Free

Lead Finish

SOD-323

ODERING INFORMATION

Device

Package

Shipping

LBAT54HT1

SOD-323

3000/Tape & Reel

LBAT54HT1G

CATHODE

ANODE

MAXIMUM RATINGS (T_J=125°C unless otherwise noted )

Rating

Symbol

Value

Unit

Reverse Voltage

THERMALCHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR-5 Board,*

TA = 25°C

200

Derate above 25°C

1.57

635

150

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

* FR-4 Minimum Pad

RθJA

TJ , Tstg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T _A= 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)

Characteristic

Symbol

V_(BR)R

C_T

Min

—

Typ

—

Max

—

Unit

Volts

Reverse Breakdown Voltage (I _R= 10 µA)

Total Capacitance (V _R= 1.0 V, f = 1.0 MHz)

Reverse Leakage (V _R= 25 V)

7.6

0.5

2.0

µAdc

Vdc

Forward Voltage (I _F= 0.1 mAdc)

Forward Voltage (I _F= 0.15 mAdc)

Forward Voltage (I _F= 0.15 mAdc, T_j=-25°C)

Forward Voltage (I _F= 0.15 mAdc, T_j=85°C)

Forward Voltage (I _F= 30 mAdc)

V_F

0.22

0.24

0.33

0.16

0.41

0.52

0.24

0.26

0.35

0.18

0.5

Forward Voltage (I _F= 100 mAdc)

Reverse Recovery Time

1.0

t_rr

—

5.0

(I _F= I _R= 10 mAdc, I _R(REC)= 1.0 mAdc, Figure 1)

Forward Voltage (I _F= 1.0 mAdc)

Forward Voltage (I _F= 10 mAdc)

V_F

I_F

—

0.29

0.35

—

0.32

0.40

200

300

600

Vdc

Forward Current (DC)

mAdc

Repetitive Peak Forward Current

Non–Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s)

I_FRM

I_FSM

—

LBAT54HT1–1/3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LBAT54HT1G_11	LRC	获取价格	Schottky Barrier Diodes Device Marking: JV
LBAT54LT1	LRC	获取价格	Dual Series Schottky Barrier Diodes
LBAT54LT1G	LRC	获取价格	Dual Series Schottky Barrier Diodes
LBAT54LT1G_11	LRC	获取价格	Dual Series Schottky Barrier Diodes Extremely Fast Switching Speed
LBAT54SLT1	LRC	获取价格	Dual Serles Schottky Barrler Dlodes
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