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LBAT54DW1T3G

更新时间： 2024-11-29 12:26:39
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 肖特基二极管测试光电二极管
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3页 163K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAY

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LBAT54DW1T3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：R-PDSO-G6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.63配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.24 VJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.225 W最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向电流：2 µA最大反向恢复时间：0.005 µs
反向测试电压：25 V子类别：Other Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

LBAT54DW1T3G 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY  
BARRIER DIODE ARRAY  
LBAT54DW1T1G  
6
These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching applications,  
circuit protection, and voltage clamping. Extremely low forward voltage reduces  
conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand held and  
portable applications where space is limited.  
5
4
1
2
3
•
•
•
Extremely Fast Switching Speed  
SC-88/SOT-363  
Low Forward Voltage — 0.35 Volts (Typ) @ I = 10 mAdc  
F
We declare that the material of product  
compliance with RoHS requirements.  
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION  
Device  
Marking  
Shipping  
3000/Tape&Reel  
LBAT54DW1T1G  
SV3  
LBAT54DW1T3G  
10000/Tape&Reel  
SV3  
MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
R
30  
Volts  
Forward Power Dissipation  
P
D
@ T = 25°C  
225  
2.0  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Forward Current (DC)  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
I
200 Max  
125 Max  
mA  
°C  
F
T
J
T
stg  
–55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)  
A
Characteristic  
Reverse Breakdown Voltage (I = 10 µA)  
Symbol  
Min  
30  
—
Typ  
—
Max  
—
Unit  
Volts  
pF  
V
R
(BR)R  
Total Capacitance (V = 1.0 V, f = 1.0 MHz)  
C
—
10  
R
T
Reverse Leakage (V = 25 V)  
I
—
0.5  
2.0  
0.24  
0.5  
1.0  
5.0  
µAdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
ns  
R
R
Forward Voltage (I = 0.1 mAdc)  
V
V
V
—
—
—
—
0.22  
0.41  
0.52  
—
F
F
F
F
Forward Voltage (I = 30 mAdc)  
F
Forward Voltage (I = 100 mAdc)  
F
Reverse Recovery Time  
t
rr  
(I = I = 10 mAdc, I  
= 1.0 mAdc) Figure 1  
F
R
R(REC)  
Forward Voltage (I = 1.0 mAdc)  
V
V
—
—
—
—
—
0.29  
0.35  
—
0.32  
0.40  
200  
300  
600  
Vdc  
Vdc  
F
F
Forward Voltage (I = 10 mAdc)  
F
F
Forward Current (DC)  
I
F
mAdc  
mAdc  
mAdc  
Repetitive Peak Forward Current  
I
—
FRM  
Non–Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s)  
I
—
FSM  
Rev.A 1/3  
123

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