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LBAT54CWT1G

更新时间： 2024-11-05 12:26:39

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乐山 - LRC		二极管开关光电二极管
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3页	64K
描述
Dual Series Schottky Barrier Diodes Extremely Fast Switching Speed

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LBAT54CWT1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.24 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：	0.6 A	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.225 W
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向恢复时间：	0.005 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

LBAT54CWT1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Dual Series Schottky

Barrier Diodes

LBAT54CWT1G

These Schottky barrier diodes are designed for high speed switch-

ing applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely

low forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount

package is excellent for hand held and portable applications where

space is limited.

SOT-323(SC-70)

• Extremely Fast Switching Speed

• Low Forward Voltage — 0.35 Volts (Typ) @ I _F= 10 mAdc

ANODE

We declare that the material of product

compliance with RoHS requirements.

ORDERING INFORMATION

CATHODE

Device

Marking

Shipping

LBAT54CWT1G

LBAT54CWT3G

3000/Tape & Reel

10000/Tape & Reel

DEVICE MARKING

LBAT54CWT1G=5C

MAXIMUM RATINGS (T _J= 125°C unless otherwise noted)

Rating Symbol

Reverse Voltage

Value

Unit

V _R

P _F

Volts

Forward Power Dissipation

@ T _A= 25°C

225

1.8

mW/°C

Derate above 25°C

Forward Current(DC)

Junction Temperature

Storage Temperature Range

I_F

200Max

125Max

–55 to +150

T _J

°C

T _stg

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T _A= 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

V_(BR)R

C_T

Min

—

Typ

Max

—

Unit

Volts

Reverse Breakdown Voltage (I _R= 10 µA)

Total Capacitance (V _R= 1.0 V, f = 1.0 MHz)

Reverse Leakage (V _R= 25 V)

—

2.0

0.24

0.5

I_R

—

0.5

µAdc

Vdc

Forward Voltage (I _F= 0.1 mAdc)

Forward Voltage (I _F= 30 mAdc)

Forward Voltage (I _F= 100 mAdc)

Reverse Recovery Time

V_F

—

0.22

0.41

0.52

V_F

—

V_F

—

t_rr

—

5.0

(I _F= I _R= 10 mAdc, I _R(REC)= 1.0 mAdc, Figure 1)

Forward Voltage (I _F= 1.0 mAdc)

Forward Voltage (I _F= 10 mAdc)

Forward Current (DC)

V_F

—

0.29

0.35

—

0.32

0.40

200

300

600

Vdc

I_F

mAdc

Repetitive Peak Forward Current

Non–Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s)

I_FRM

I_FSM

—

Rev.A 1/3

12 3

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