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LBAT54AWT1G

更新时间： 2024-11-26 12:26:39
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 94K
描述
Dual Series Schottky Barrier Diodes

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LBAT54AWT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.58
Is Samacsys：N配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.24 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：0.6 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

LBAT54AWT1G 数据手册

 浏览型号LBAT54AWT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LBAT54AWT1G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Dual Series Schottky  
Barrier Diodes  
These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching  
applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low forward  
voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount package is excel-  
lent for hand held and portable applications where space is limited.  
• Extremely Fast Switching Speed  
LBAT54AWT1G  
3
• Low Forward Voltage — 0.35 Volts (Typ) @ I F = 10 mAdc  
1
We declare that the material of product  
compliance with RoHS requirements.  
2
SOT–323 (SC–70)  
ORDERING INFORMATION  
CATHODE  
1
3
Device  
Marking  
Shipping  
ANODE  
2
LBAT54AWT1G  
LBAT54AWT3G  
B7  
B7  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
CATHODE  
DEVICE MARKING  
LBAT54AWT1G= B7  
MAXIMUM RATINGS (T J = 125°C unless otherwise noted)  
Rating Symbol  
Reverse Voltage  
Value  
Unit  
V R  
P F  
30  
Volts  
Forward Power Dissipation  
@ T A = 25°C  
200  
1.6  
mW  
mW/°C  
mA  
Derate above 25°C  
Forward Current(DC)  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
IF  
200Max  
125Max  
–55 to +150  
T J  
°C  
T stg  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)  
Characteristic  
Symbol  
V(BR)R  
CT  
Min  
30  
—
Typ  
Max  
—
Unit  
Volts  
pF  
Reverse Breakdown Voltage (I R = 10 µA)  
Total Capacitance (V R = 1.0 V, f = 1.0 MHz)  
Reverse Leakage (V R = 25 V)  
—
—
10  
IR  
—
0.5  
2.0  
0.24  
0.5  
1.0  
µAdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Forward Voltage (I F = 0.1 mAdc)  
Forward Voltage (I F = 30 mAdc)  
Forward Voltage (I F = 100 mAdc)  
Reverse Recovery Time  
VF  
—
0.22  
0.41  
0.52  
VF  
—
VF  
—
trr  
—
—
5.0  
ns  
(I F = I R = 10 mAdc, I R(REC) = 1.0 mAdc, Figure 1)  
Forward Voltage (I F = 1.0 mAdc)  
Forward Voltage (I F = 10 mAdc)  
Forward Current (DC)  
VF  
VF  
—
—
—
—
—
0.29  
0.35  
—
0.32  
0.40  
200  
300  
600  
Vdc  
Vdc  
IF  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
Repetitive Peak Forward Current  
Non–Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s)  
IFRM  
IFSM  
—
—
Rev.A 1/3  
123

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