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LBAL99WT1G

更新时间： 2024-11-06 01:18:43

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乐山 - LRC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	97K
描述
Switching Diode

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LBAL99WT1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.855 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	最大非重复峰值正向电流：	2 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.15 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.2 W	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向恢复时间：	0.006 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

LBAL99WT1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

LBAL99WT1G

Switching Diode

•

We declare that the material of product

compliance with RoHS requirements.

DEVICE MARKING ORDERING INFORMATION

SC-70

Device

Marking

Shipping

3000 Tape & Reel

10000 Tape & Reel

LBAL99WT1G

ANODE

CATHODE

Maximum Ratings ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

V^RM

100

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

Forward Continuous Current (Note 1)

I^F

300

150

Average Rectified Output Current (Note 1)

FSM

Peak Forward Surge Current (Note 1)

Power Dissipation (Note 1)

@ t < 1.0µs

2.0

P^d

200

K/W

°C

Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

R^ꢀ^JA

625

STG

T, T

-65 to +150

Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

Test Condition

—

0.855

1.0

@ I = 10mA

Forward Voltage

@ I = 50mA

Reverse Leakage Current

Junction Capacitance

—

2.5

2.0

µA

@ V = 75V

C^j

t^rr

V^R= 0V, f = 1.0MHz

I^F= I^R= 10mA,

Reverse Recovery Time

—

6.0

I^RR= 0.1 x I^R, R^L= 100ꢀ

Note:

1. FR–5 = 1.0 × 0.75 × 0.062 in.

Rev.O 1/3

12 3

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