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L9014QLT1

更新时间： 2024-10-29 11:42:47

品牌	Logo	应用领域
乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	51K
描述
General Purpose Transistors NPN Silicon

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L9014QLT1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	150	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

L9014QLT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

General Purpose Transistors

NPN Silicon

L9014*LT1

FEATURE

ƽComplementary to L9015.

ƽPb-Free package is available.

DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

Device

Marking

Shipping

SOT– 23

L9014QLT1

14Q

3000/Tape&Reel

L9014QLT1G

(Pb-Free)

14Q

14R

14S

14T

3000/Tape&Reel

L9014RLT11

COLLECTOR

L9014RLT1G

(Pb-Free)

L9014SLT1

L9014SLT1G

(Pb-Free)

BASE

EMITTER

L9014TLT11

L9014TLT1G

(Pb-Free)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector current-continuoun

100

THERMAL CHARATEERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR-5 Board, (1)

P_D

T_A=25^oC

225

Derate above 25^oC

1.8

mW/^oC

^oC/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

556

P_D

Alumina Substrate, (2) TA=25 ^oC

300

Derate above 25^oC

2.4

mW/^oC

^oC/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

417

Junction and Storage Temperature

T_J,T_stg

-55 to +150

^oC

L9014*LT1-1/3

12 3

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