Datasheet > L9013RLT3G

L9013RLT3G

更新时间： 2024-10-29 12:26:39

品牌	Logo	应用领域
乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	130K
描述
General Purpose Transistors NPN Silicon

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

L9013RLT3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	200
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES

L9013RLT3G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

General Purpose Transistors

L9013PLT1G

Series

NPN Silicon

FEATURE

We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

Device

Marking

Shipping

L9013PLT1G

L9013PLT3G

13P

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

SOT-23 (TO-236AB)

13P

L9013QLT1G

L9013QLT3G

L9013RLT1G

L9013RLT3G

L9013SLT1G

L9013SLT3G

13Q

3000/Tape&Reel

13Q

13R

10000/Tape&Reel

3000/Tape&Reel

COLLECTOR

13R

13S

10000/Tape&Reel

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

V_CBO

V_EBO

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector current-continuoun

THERMAL CHARATEERISTICS

500

mAdc

Max

225

Characteristic

Symbol

Unit

Total Device Dissipation FR-5 Board, (1)

P_D

T_A=25^oC

mW/^oC

Derate above 25^oC

1.8

Thermal Resistance, Junction to Ambient

556

^oC/W

q JA

Total Device Dissipation

P_D

Alumina Substrate, (2) TA=25 ^oC

300

2.4

417

mW/^oC

^oC/W

^oC

Derate above 25^oC

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

qJA

Tj ,Tstg

-55 to +150

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25^oC unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(IC=1.0mA)

V(BR)CEO

V(BR)EBO

V(BR)CBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

(IE=100mA)

Collector-Base Breakdown Voltage

(IC=100mA)

Collector Cutoff Current (VCB=35V)

Emitter Cutoff Current (VEB=4V)

ICBO

IEBO

150

Rev.O 1/2

中文翻译

下载PDF

与L9013RLT3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
L9013SLT1G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
L9013SLT3G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
L9014	GILWAY	获取价格	Line Filament Lamps
L9014LT1	LRC	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
L9014QLT1	LRC	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
L9014QLT1G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors
L9014QLT3G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors
L9014RLT11	LRC	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
L9014RLT1G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors
L9014RLT3G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors