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L8550HQLT1G

更新时间： 2024-10-18 11:39:31

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	52K
描述
General Purpose Transistors NPN Silicon

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L8550HQLT1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	150	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

L8550HQLT1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

General Purpose Transistors

NPN Silicon

L8550H*LT1

FEATURE

ƽHigh current capacity in compact package.

I_C=1.5A.

ƽEpitaxial planar type.

ƽNPN complement: L8050H

ƽPb-Free Package is available.

SOT–23

DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

COLLECTOR

Shipping

Device

Marking

3000/Tape&Reel

L8550HPLT1

1HB

(Pb-Free)

3000/Tape&Reel

L8550HPLT1G

L8550HQLT1

L8550HQLT1G

BASE

1HD

EMITTER

1HD

(Pb-Free)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Max

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_CBO

V_EBO

Collector Current-continuoun

1500

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR-5 Board,(1)

=25°C

225

1.8

Derate above 25°C

mW/°C

Thermal Resistance,Junction to Ambient

RθJ A

556

°C/W

Total Device Dissipation

Alumina Substrate,(2) TA=25°C

Derate above 25°C

300

2.4

mW/°C

Thermal Resistance,Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

RθJ A

417

°C/W

°C

-55 to +150

Version 1.1

L8550H*LT1-1/3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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L8550HRLT3G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors PNP Silicon Epitaxial planar type.
L8550HSLT1G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors PNP Silicon Epitaxial planar type.
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L8550LT1	LRC	获取价格	General Purpose Transistors PNP Silicon
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