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L8550HQLT1

更新时间： 2024-10-18 11:39:31

品牌	Logo	应用领域
乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	52K
描述
General Purpose Transistors NPN Silicon

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L8550HQLT1 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.79
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	150	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

L8550HQLT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

General Purpose Transistors

NPN Silicon

L8550H*LT1

FEATURE

ƽHigh current capacity in compact package.

I_C=1.5A.

ƽEpitaxial planar type.

ƽNPN complement: L8050H

ƽPb-Free Package is available.

SOT–23

DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

COLLECTOR

Shipping

Device

Marking

3000/Tape&Reel

L8550HPLT1

1HB

(Pb-Free)

3000/Tape&Reel

L8550HPLT1G

L8550HQLT1

L8550HQLT1G

BASE

1HD

EMITTER

1HD

(Pb-Free)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Max

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_CBO

V_EBO

Collector Current-continuoun

1500

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR-5 Board,(1)

=25°C

225

1.8

Derate above 25°C

mW/°C

Thermal Resistance,Junction to Ambient

RθJ A

556

°C/W

Total Device Dissipation

Alumina Substrate,(2) TA=25°C

Derate above 25°C

300

2.4

mW/°C

Thermal Resistance,Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

RθJ A

417

°C/W

°C

-55 to +150

Version 1.1

L8550H*LT1-1/3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
L8550HQLT1G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors NPN Silicon
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L8550HRLT1G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors PNP Silicon Epitaxial planar type.
L8550HRLT3G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors PNP Silicon Epitaxial planar type.
L8550HSLT1G	LRC	获取价格	General Purpose Transistors PNP Silicon Epitaxial planar type.
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