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L8050HRLT3G

更新时间： 2024-01-31 01:53:47

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	81K
描述
General Purpose Transistors NPN Silicon Epitaxial planar type.

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L8050HRLT3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	200
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

L8050HRLT3G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

General Purpose Transistors

L8050HQLTIG

Series

NPN Silicon

FEATURE

ƽHigh current capacity in compact package.

I_C=1.5 A.

ƽEpitaxial planar type.

ƽNPN complement: L8050H

ƽPb-Free Package is available.

SOT–23

DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

COLLECTOR

Shipping

Device

Marking

3000/Tape&Reel

L8050HPLT1G

1HA

10000/Tape&Reel

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

L8050HPLT3G

L8050HQLT1G

L8050HQLT3G

BASE

1HC

EMITTER

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

L8050HRLT1G

L8050HRLT3G

L8050HSLT1G

L8050HSLT3G

1HE

1HG

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Max

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

V_CEO

V_CBO

V_EBO

1500

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR-5 Board,(1)

=25°C

225

1.8

Derate above 25°C

mW/°C

Thermal Resistance,Junction to Ambient

Rθ^{J A}

556

°C/W

Total Device Dissipation

Alumina Substrate,(2) TA=25°C

Derate above 25°C

300

2.4

mW/°C

Thermal Resistance,Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

Rθ^{J A}

417

°C/W

°C

-55 to +150

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

Rev.A 1/3

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
L8050HSLT1G	LRC	General Purpose Transistors NPN Silicon Epitaxial planar type.	获取价格
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L8050LT1	LRC	General Purpose Transistors NPN Silicon	获取价格
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