是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP24,.3 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 45 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 31.75 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 4 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 64KX4 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP24,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.005 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
L7C194CMB-45 | ETC |
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x4 SRAM | |
L7C194CME20 | LOGIC |
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Standard SRAM, 64KX4, 20ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24 | |
L7C194CME-20 | ETC |
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x4 SRAM | |
L7C194CME25 | LOGIC |
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Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24 | |
L7C194CME-25 | ETC |
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x4 SRAM | |
L7C194CME35 | LOGIC |
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Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24 | |
L7C194CME-35 | ETC |
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x4 SRAM | |
L7C194CME45 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24 | |
L7C194CME-45 | ETC |
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x4 SRAM | |
L7C194DM25 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24 |