是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP28,.4 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.88 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 35 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17.9 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP28,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.65 mm |
最大待机电流: | 0.00025 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.085 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
L7C185UC45 | ETC |
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x8 SRAM | |
L7C185UC85 | LOGIC |
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Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, PDSO28 | |
L7C185VC10 | LOGIC |
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Standard SRAM, 8KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.340 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
L7C185VC12 | ETC |
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x8 SRAM | |
L7C185VC15 | LOGIC |
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Standard SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.340 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
L7C185VC20 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.340 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
L7C185VC25 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.340 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
L7C185VC35 | ETC |
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x8 SRAM | |
L7C185WC10 | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | |
L7C185WC10L | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |