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L7C185NC85

更新时间: 2024-11-26 20:24:15
品牌 Logo 应用领域
逻辑 - LOGIC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 661K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, PDIP28

L7C185NC85 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP28,.6Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:85 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00025 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.045 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

L7C185NC85 数据手册

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