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L7C185KC10

更新时间: 2024-11-25 20:35:43
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逻辑 - LOGIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 819K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 10ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28

L7C185KC10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QLCC包装说明:QCCN, LCC28,.35X.55
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.88最长访问时间:10 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWNI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-CQCC-N28JESD-609代码:e0
长度:14.0208 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC28,.35X.55封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.159 mm
最大待机电流:0.00025 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.24 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8.89 mm
Base Number Matches:1

L7C185KC10 数据手册

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