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L7C180CM25

更新时间： 2024-11-12 18:00:19

品牌	Logo	应用领域
逻辑 - LOGIC		静态存储器输出元件内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	269K
描述
Cache Tag SRAM, 4KX4, 25ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22

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L7C180CM25 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP22,.3
针数：	22	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	25 ns	其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN; MATCH OUTPUT; FLASH CLEAR
JESD-30 代码：	R-GDIP-T22	JESD-609代码：	e0
长度：	27.178 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	CACHE TAG SRAM	内存宽度：	4
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	22
字数：	4096 words	字数代码：	4000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	4KX4
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP22,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.00005 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
L7C180CM-25	ETC	获取价格	x4 Cache-Tag RAM
L7C180CMB-12	ETC	获取价格	x4 Cache-Tag RAM
L7C180CMB15	LOGIC	获取价格	Cache Tag SRAM, 4KX4, 15ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22
L7C180CMB-15	ETC	获取价格	x4 Cache-Tag RAM
L7C180CMB20	LOGIC	获取价格	Cache Tag SRAM, 4KX4, 20ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22
L7C180CMB-20	ETC	获取价格	x4 Cache-Tag RAM
L7C180CMB25	LOGIC	获取价格	Cache Tag SRAM, 4KX4, 25ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22
L7C180CMB-25	ETC	获取价格	x4 Cache-Tag RAM
L7C180CME12	LOGIC	获取价格	Cache Tag SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22
L7C180CME-12	ETC	获取价格	x4 Cache-Tag RAM