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L7C162DC12

更新时间: 2024-09-24 20:00:07
品牌 Logo 应用领域
逻辑 - LOGIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 260K
描述
Standard SRAM, 16KX4, 12ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-28

L7C162DC12 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.3针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:12 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN; HIGH IMPEDANCE WRITEI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-CDIP-T28JESD-609代码:e0
长度:35.56 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:16384 words字数代码:16000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16KX4
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.953 mm
最大待机电流:0.00025 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.145 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

L7C162DC12 数据手册

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