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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP32,.4 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.22 |
| 最长访问时间： | 20 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| L7C108CM20L | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| L7C108CM25 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| L7C108CM25L | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
|
| L7C108CMB17 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| L7C108CMB17L | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 17ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
|
| L7C108CMB20 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| L7C108CMB20L | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
|
| L7C108CMB25 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| L7C108CMB25L | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
|
| L7C108DC12L | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-3 |
|
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