5秒后页面跳转
L6116CC12 PDF预览

L6116CC12

更新时间: 2024-11-12 21:07:35
品牌 Logo 应用领域
逻辑 - LOGIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 767K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 12ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24

L6116CC12 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP24,.3针数:24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
最长访问时间:12 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-GDIP-T24
JESD-609代码:e0长度:31.75 mm
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP24,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大待机电流:0.00015 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.195 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

L6116CC12 数据手册

 浏览型号L6116CC12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号L6116CC12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号L6116CC12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号L6116CC12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号L6116CC12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号L6116CC12的Datasheet PDF文件第7页 

与L6116CC12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
L6116CC12L ETC

获取价格

x8 SRAM
L6116CC15 ETC

获取价格

x8 SRAM
L6116CC15L LOGIC

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24
L6116CC20 ETC

获取价格

x8 SRAM
L6116CC20L LOGIC

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24
L6116CC25 ETC

获取价格

x8 SRAM
L6116CC25L LOGIC

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24
L6116CC35 LOGIC

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24
L6116CC35L LOGIC

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24
L6116CC45 ETC

获取价格

x8 SRAM