是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP24,.3 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 12 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 31.75 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP24,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.00015 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.195 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
L6116CC12L | ETC |
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x8 SRAM | |
L6116CC15 | ETC |
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x8 SRAM | |
L6116CC15L | LOGIC |
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Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24 | |
L6116CC20 | ETC |
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x8 SRAM | |
L6116CC20L | LOGIC |
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Standard SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24 | |
L6116CC25 | ETC |
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x8 SRAM | |
L6116CC25L | LOGIC |
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Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24 | |
L6116CC35 | LOGIC |
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Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24 | |
L6116CC35L | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24 | |
L6116CC45 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |