5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > L2SD2114KWLT1G
L2SD2114KWLT1G PDF预览

L2SD2114KWLT1G

更新时间： 2024-10-28 11:36:27
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 78K
描述
Epitaxial planar type NPN silicon transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

L2SD2114KWLT1G 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：1200
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YESBase Number Matches：1

L2SD2114KWLT1G 数据手册

 浏览型号L2SD2114KWLT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号L2SD2114KWLT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号L2SD2114KWLT1G的Datasheet PDF文件第4页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Epitaxial planar type  
NPN silicon transistor  
L2SD2114K*LT1  
zFeatures  
1) High DC current gain.  
hFE = 1200 (Typ.)  
3
2) High emitter-base voltage.  
VEBO =12V (Min.)  
3) Low VCE (sat).  
1
2
VCE (sat) = 0.18V (Typ.)  
(IC / IB = 500mA / 20mA)  
SOT– 23 (TO–236AB)  
4) Pb-Free package is available.  
COLLECTOR  
3
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
25  
Unit  
1
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
BASE  
20  
2
12  
V
EMITTER  
0.5  
1
A(DC)  
A(Pulse)  
Collector current  
IC  
∗
Collector power  
dissipation  
P
C
0.2  
W
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55∼+150  
Single pulse Pw=100ms  
∗
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
Max.  
−
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
25  
20  
12  
−
−
−
I
I
I
C
=10µA  
=1mA  
−
V
C
−
−
V
E
=10µA  
CB=20V  
EB=10V  
I
CBO  
−
0.5  
0.5  
0.4  
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
EBO  
−
−
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat)  
−
0.18  
I
C/I  
B
=500mA/20mA  
−
DC current transfer ratio  
hFE  
−
2700  
V
CE=3V, I  
C=10mA  
820  
∗
Cob  
Transition frequency  
Output capacitance  
Output On-resistance  
f
T
−
−
−
350  
8.0  
0.8  
−
−
−
MHz  
pF  
V
CE=10V, I  
CB=10V, I  
=1mA, Vi=100mV(rms), f=1kHz  
E
=−50mA, f=100MHz  
V
E
=0A, f=1MHz  
Ron  
pF  
IB  
Measured using pulse current  
∗
ƽhFE Values Classification, Device Marking and Ordering Information  
hFE  
Device  
Marking  
BV  
Shipping  
L2SD2114KVLT1  
820~1800  
3000/Tape&Reel  
BV  
(Pb-Free)  
L2SD2114KVLT1G  
L2SD2114KWLT1  
L2SD2114KWLT1G  
820~1800  
1200~2700  
1200~2700  
3000/Tape&Reel  
3000/Tape&Reel  
3000/Tape&Reel  
BW  
BW  
(Pb-Free)  
L2SD2114K*LT1–1/4  
1234

中文翻译

下载PDF

与L2SD2114KWLT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
L2SD2114KWLT3G LRC

获取价格

 		Epitaxial planar type NPN silicon transistor High DC current gain
L2SK3018WT1G LRC

获取价格

 		N-channel MOSFET 100 mA, 30 V
L2SK3018WT3G LRC

获取价格

 		N-channel MOSFET 100 mA, 30 V
L2SK3019LT1G LRC

获取价格

 		Silicon N-Channel MOSFET Fast switching speed
L2SK3019LT3G LRC

获取价格

 		Silicon N-Channel MOSFET Fast switching speed
L2SK3541M3T5G LRC

获取价格

 		Silicon N-Channel MOSFET
L2SK3541M3T5G_15 LRC

获取价格

 		Silicon N-Channel MOSFET
L2SK801LT1G LRC

获取价格

 		Small Signal MOSFET 310 mAmps, 60 Volts N–C
L2T0-4070012M00000 LUMILEDS

获取价格

 		High performance LED modules with extreme efficacy for robust lighting designs
L2T0-5070012M00000 LUMILEDS

获取价格

 		High performance LED modules with extreme efficacy for robust lighting designs

与L2SD2114KWLT1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证