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L2SD1781KRLT1G

更新时间： 2024-10-28 02:54:43

品牌	Logo	应用领域
乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	95K
描述
Medium Power Transistor(32V, 0.8A)

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L2SD1781KRLT1G 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	180
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

L2SD1781KRLT1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY,LTD.

LRC

Medium Power Transistor

(32V, 0.8A)

L2SD1781K*LT1

FFeatures

1) Very low V^CE(sat).

V^CE(sat)t 0.4 V (Typ.)

(IC / IB = 500mA / 50mA)

2) High current capacity in compact

package.

3) Complements the L2SB1197K*LT1

4) Pb Free Package is Available.

SOT-23 /TO-236AB

FStructure

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

COLLECTOR

FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)

BASE

EMITTER

ORDERING INFORMATION

Device

Marking

AFQ

Shipping

L2SD1781KQLT1

L2SD1781KQLT1G

L2SD1781KRLT1

L2SD1781KRLT1G

3000 Tape & Reel

AFQ(Pb-Free)

AFR

AFR(Pb-Free)

L2SD1781K*LT1-1/4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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