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L2SD1781KQLT3G

更新时间： 2024-10-29 01:17:35

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乐山 - LRC		/
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描述
Medium Power Transistor (32V, 0.8A) High current capacity in compact

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L2SD1781KQLT3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	120
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

L2SD1781KQLT3G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Medium Power Transistor

(32V, 0.8A)

L2SD1781KQLT1G Series

L2SD1781KQLT1G

FFeatures

CE(sat)

1) Very low V

V^CE(sat)t 0.4 V (Typ.)

(I / I = 500mA / 50mA)

2) High current capacity in compact

package.

SOT-23 /TO-236AB

3) Complements the L2SB1197KXLT1G

We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

FStructure

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

COLLECTOR

FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)

BASE

EMITTER

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Device

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L2SD1781KQLT1G

L2SD1781KQLT3G

L2SD1781KRLT1G

L2SD1781KRLT3G

AFQ

3000 Tape & Reel

10000 Tape & Reel

3000 Tape & Reel

10000 Tape & Reel

AFQ

AFR

Rev.O 1/4

12 3 4

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