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L2SC4617RT1

更新时间： 2024-10-28 03:09:39

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	218K
描述
General Purpose Transistors NPN Silicon

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L2SC4617RT1 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	180
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

L2SC4617RT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

General Purpose Transistors

NPN Silicon

COLLECTOR

L2SC4617*T1

BASE

EMITTER

SC-89

!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

Limits

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

0.15

Collector power

dissipation

0.15

150

˚C

Junction temperature

Storage temperature

Tstg

−

55~+150

!Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Symbol Min.

Typ. Max.

Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

BV^CBO

−

50µA

Collector-emitter breakdown voltage BVCEO

1µA

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

BVEBO

−

50µA

CBO

EBO

CE(sat)

−

0.1

0.5

560

−

µA

CB=60V

Emitter cutoff current

−

EB=7V

Collector-emitter saturation voltage

DC current transfer ratio

Transition frequency

−

C/I

50mA/5mA

120

−

6V, I 1mA

180

2.0

MHz

12V, I

2mA, f

=30MHz

Output capacitance

Cob

−

3.5

0A, f 1MHz

!Device marking

L2SC4617QT1=BQ L2SC4617RT1=BR L2SC4617ST1=BS

h^FEvalues are classified as follows:

Item

hFE

120~270

180~390

270~560

L2SC4617*T1-1/4

12 3 4

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