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L2SC4097RT1

更新时间： 2024-10-28 03:09:39

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乐山 - LRC		晶体晶体管
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4页	81K
描述
Medium Power Transistor L2SC4097RT1

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L2SC4097RT1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

L2SC4097RT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Medium Power Transistor

L2SC4097RT1

zFeatures

CMax

1) High I

^CMax=

0.5mA

CE(sat)

SC-70 (SOT-323)

2) Low V

Optimal for low voltage operation.

3) Pb-Free Package is available.

COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25°C)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Limits

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

BASE

EMITTER

0.5

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

0.2

T_j

150

T_stg

-55~+150

*P_Cmust not be exceeded.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T_A=25°C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ

Max.

Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltgae

Collector cutoff current

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

I_C=100µA

I_C=1mA

I_E=100µA

V_CB=20V

180

µA

Emitter cutoff current

I_EBO

V_EB=4V

DC current transfer ratio

h_FE

390

0.4

V_CE=3V,I_C=100mA

I_C/I_B=500mA/50mA

Collcetor-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

250

6.0

MHz

V_CE=5V,I_E=-20mA,f=100MHz

V_CB=10V,I_E=0A,f=1MHz

Output capacitance

C_ob

MARKING AND ORDERING INFORMATION

Device

Marking

Shipping

L2SC4097RT1

3000/Tape&Reel

(Pb-Free)

L2SC4097RT1G

L2SC4097RT1-1/4

12 3 4

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