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L2SC4083QWT1

更新时间： 2024-10-28 02:59:59
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 60K
描述
High-Frequency Amplifier Transistor

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L2SC4083QWT1 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.05 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：120
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：1400 MHz
Base Number Matches：1

L2SC4083QWT1 数据手册

 浏览型号L2SC4083QWT1的Datasheet PDF文件第2页 
LESHAN RADIO COMPANY,LTD.  
LRC  
High-Frequency Amplifier  
Transistor  
L2SC4083QWT1  
3
COLLECTOR  
3
1
BASE  
1
2
2
EMITTER  
SC-70/SOT-323  
o
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)  
Symbol  
Limits  
20  
Unit  
V
Parameter  
Collector-base voltage  
V
CBO  
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
11  
3
V
CEO  
V
V
mA  
EBO  
IC  
50  
0.2  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
P
W
C
T j  
Tstg  
150  
- 55~+150  
oC  
oC  
Driver Marking  
L2SC4083QWT1=4Q  
o
Electrical characteristics (Ta=25 C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
20  
11  
3
V
V
I
I
I
C
=
=
=
10µA  
1mA  
C
V
E
10µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
0.5  
0.5  
0.5  
270  
uA  
uA  
V
V
CB  
EB  
=
=
10V  
2V  
Emitter cutoff current  
I
V
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
I
C
/I  
B
=
10mA/5mA  
h
120  
1.4  
V
V
V
V
V
CE/IC = 10V/5mA  
fT  
3.2  
GHz  
pF  
CB  
CB  
CB  
CE  
=
=
=
=
10V , I  
10V , I  
10V , I  
C
E
C
=
=
=
10mA , f  
0A , f 1MHz  
10mA , f 31.8MHz  
2mA , f 500MHz , Rg = 50Ω  
= 500MHz  
Transition frequency  
Output capacitance  
Collector-base time constant  
Noise factor  
Cob  
rbb'·Cc  
NF  
0.8  
1.5  
=
ps  
dB  
=
4
3.5  
12  
6V , I  
C
=
=
1/2  
12

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