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L2SC4083NWT1G_11

更新时间： 2024-10-28 12:26:39
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 152K
描述
High-Frequency Amplifier Transistor

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L2SC4083NWT1G_11 数据手册

 浏览型号L2SC4083NWT1G_11的Datasheet PDF文件第2页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
High-Frequency Amplifier  
Transistor  
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.  
L2SC4083NWT1G  
3
1
Ordering Information  
2
Device  
Marking  
Shipping  
SC-70/SOT-323  
3000/Tape&Reel  
L2SC4083NWT1G  
L2SC4083NWT1G  
4N  
4N  
10000/Tape&Reel  
3
o
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)  
COLLECTOR  
Symbol  
Limits  
20  
Unit  
V
Parameter  
Collector-base voltage  
V
CBO  
1
BASE  
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
11  
3
V
CEO  
V
V
mA  
EBO  
2
IC  
50  
0.15  
EMITTER  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
P
W
C
T j  
Tstg  
150  
- 55~+150  
oC  
oC  
Driver Marking  
L2SC4083NWT1G=4N  
o
Electrical characteristics (Ta=25 C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
20  
11  
3
V
V
I
I
I
C
C
=
=
=
CB  
EB  
10µA  
1mA  
V
E
10µA  
I
I
CBO  
0.5  
0.5  
0.5  
120  
uA  
uA  
V
V
V
=
=
10V  
2V  
Emitter cutoff current  
EBO  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
VCE(sat)  
I
C
/I  
B
=
C
10mA/5mA  
10V/5mA  
h
FE  
56  
V
V
V
V
V
CE/I  
=
f
T
1.4  
3.2  
GHz  
pF  
CB  
CB  
CB  
CE  
=
=
=
=
10V , I  
10V , I  
10V , I  
C
E
C
=
=
=
10mA , f  
0A , f 1MHz  
10mA , f 31.8MHz  
500MHz , Rg = 50Ω  
= 500MHz  
Transition frequency  
Output capacitance  
Collector-base time constant  
Noise factor  
Cob  
rbb'·Cc  
NF  
0.8  
1.5  
=
ps  
dB  
=
4
3.5  
12  
6V , I  
C
=
2mA , f  
=
Rev.O 1/2  
12

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