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L2SC3838QT1

更新时间： 2024-10-28 03:12:23
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乐山 - LRC 晶体放大器晶体管
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2页 99K
描述
High-Frequency Amplifier NPN Transistor

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L2SC3838QT1 数据手册

 浏览型号L2SC3838QT1的Datasheet PDF文件第2页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
High-Frequency Amplifier  
NPN Transistor  
L2SC3838QT1  
Lꢀ6&3838QT1  
3
1
2
)HDWXUHV  
ꢀꢁꢂ+LJKꢂWUDQVLWLRQꢂIUHTXHQF\ꢃꢂꢄ7\SꢃꢂI7 ꢂ3.2*+]ꢁ  
ꢅꢁꢂ6PDOOꢂUEE¶⋅&FꢂDQGꢂKLJKꢂJDLQꢃꢂꢄ7\SꢃꢂꢆSVꢁ  
ꢇꢁꢂ6PDOOꢂ1)ꢃ  
SC-59  
3
COLLECTOR  
o
1
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)  
BASE  
Symbol  
Limits  
20  
Unit  
V
Parameter  
Collector-base voltage  
V
CBO  
2
V
EMITTER  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
11  
3
V
CEO  
V
V
mA  
EBO  
IC  
50  
0.2  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
P
W
C
T j  
Tstg  
150  
- 55~+150  
oC  
oC  
Device Marking  
L2SC3838QT1=R25  
o
Electrical characteristics (Ta=25 C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
-
-
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
20  
11  
3
V
V
I
I
I
C
=
=
=
10µA  
1mA  
C
-
-
-
-
V
E
10µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
-
-
-
0.5  
0.5  
0.5  
270  
-
uA  
uA  
V
V
CB  
=
=
10V,IE=0  
V,IC=0  
10mA/5mA  
10V/5mA  
Emitter cutoff current  
I
-
V
EB  
2
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
I
C/IB =  
-
-
-
-
h
120  
1.4  
-
V
V
V
V
V
CE/IC =  
fT  
3.2  
0.8  
4
GHz  
pF  
CB  
CB  
CB  
CE  
=
=
=
=
10V , I  
10V , I  
10V , I  
C
E
C
=
=
=
10mA , f  
0A , f 1MHz  
10mA , f 31.8MHz  
2mA , f 500MHz , Rg = 50Ω  
= 500MHz  
Transition frequency  
Output capacitance  
Collector-base time constant  
Noise factor  
Cob  
rbb'·Cc  
NF  
1.5  
12  
-
=
ps  
dB  
=
-
-
3.5  
6V , I  
C
=
=
L2SC3838QT1-1/2  
12

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