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L2SC2412KQLT1

更新时间： 2024-10-28 02:57:07

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	100K
描述
General Purpose Transistors NPN Silicon

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L2SC2412KQLT1 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	120	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES

L2SC2412KQLT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

General Purpose Transistors

NPN Silicon

L2SC2412K*LT1

• Pb−Free Package is Available.

COLLECTOR

BASE

EMITTER

SOT– 23

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

Value

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

ORDERING INFORMATION

Device

Marking

Shipping

7.0

L2SC2412KQLT1

L2SC2412KQLT1G

L2SC2412KRLT1

L2SC2412KRLT1G

L2SC2412KSLT1

L2SC2412KSLT1G

3000 Tape & Reel

150

0.2

mAdc

BQ(Pb-Free) 3000 Tape & Reel

P _C

3000 Tape & Reel

T _j

150

°C

BR(Pb-Free) 3000 Tape & Reel

T _stg

-55

+150

°C

3000 Tape & Reel

G1F

G1F(Pb-Free)

DEVICE MARKING

3000 Tape & Reel

L2SC2412KQLT1 =BQ L2SC2412KRLT1 =BR L2SC2412KSLT1 =G1F

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= 1 mA)

V _(BR)CEO

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I_E= 50 µA)

Collector–Base Breakdown Voltage

(I_C= 50 µA)

Collector Cutoff Current

(V_CB= 60 V)

V _(BR)EBO

V _(BR)CBO

I _CBO

—

0.1

µA

Emitter cutoff current

I _EBO

(V_EB= 7 V)

Collector-emitter saturation voltage

(I_C/ I_B= 50 mA / 5m A)

DC current transfer ratio

(V _CE= 6 V, I _C= 1mA)

Transition frequency

V _CE(sat)

h _FE

—

0.4

120

––

560

––

f _T

—

180

2.0

––

MHz

(V _CE= 12 V, I _E= – 2mA, f =30MHz )

Output capacitance

C _ob

3.5

(V _CB= 12 V, I _E= 0A, f =1MHz )

h _FEvalues are classified as follows:

hFE

120~270

180~390

270~560

L2SC2412K*LT1-1/3

12 3

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