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L2SC2411KQLT3G

更新时间： 2024-10-28 12:26:39

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	148K
描述
Medium Power Transistor NPN silicon

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L2SC2411KQLT3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	120	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

L2SC2411KQLT3G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Medium Power Transistor

NPN silicon

L2SC2411KQLT1G

Series

FEATURE

ƽEpitaxial planar type

ƽComplementary to L2SA1036K

ƽWe declare that the material of product are Halogen Free and

compliance with RoHS requirements.

DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

Device

Marking

Shipping

L2SC2411KQLT1G

L2SC2411KQLT3G

L2SC2411KRLT1G

L2SC2411KRLT3G

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

SOT– 23 (TO–236AB)

COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

BASE

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

EMITTER

0.5

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

0.2

T_j

150

T_stg

-55~+150

*P_Cmust not be exceeded.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T_A=25°C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ

Max.

Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltgae

Collector cutoff current

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

I_C=100µA

I_C=1mA

I_E=100µA

V_CB=20V

µA

Emitter cutoff current

I_EBO

V_EB=4V

DC current transfer ratio

h_FE

120

390

0.4

V_CE=3V ,I_C=100mA

I_C/I_B=500mA/50mA

V_CE=5V,I_E=-20mA,f=100MHz

V_CB=10V,I_E=0A,f=1MHz

Collcetor-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

250

6.0

MHz

Output capacitance

C_ob

h_FEvalues are classified as follows:

Item

h_FE

120~270 180~390

Rev.O 1/4

12 3 4

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