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L2SC1623QLT3G

更新时间： 2024-10-28 12:01:27

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	300K
描述
General Purpose Transistors Pb-Free packkage is available

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L2SC1623QLT3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	120
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

L2SC1623QLT3G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

General Purpose Transistors

L2SC1623QLT1G

Series

Pb-Free package is available

DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

Shipping

Device

Marking

3000/Tape&Reel

L2SC1623QLT1G

10000/Tape&Reel

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

L2SC1623QLT3G

L2SC1623RLT1G

L2SC1623RLT3G

L2SC1623SLT1G

L2SC1623SLT3G

SOT– 23

COLLECTOR

BASE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

EMITTER

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector current-continuoun

150

mAdc

THERMAL CHARATEERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR-5 Board, (1)

P_D

T_A=25^oC

225

1.8

mW/^oC

^oC/W

Derate above 25^oC

Thermal Resistance, Junction to Ambient

R qJA

556

Total Device Dissipation

P_D

Alumina Substrate, (2) TA=25 ^oC

300

2.4

417

mW/^oC

^oC/W

^oC

Derate above 25^oC

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

RqJA

Tj ,Tstg

-55 to +150

DEVICE MARKING

L2SC1623QLT1G=L5

L2SC1623RLT1G=L6 L2SC1623SLT1G=L7

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A=25^oC unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector Cutoff Current (VCB=60V)

Emitter Cutoff Current (VBE=5V)

0.1

CBO

EBO

Rev.O 1/5

12 3 4 5

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