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L2SB1197KQLT1

更新时间： 2024-10-28 11:36:27

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	89K
描述
Low Frequency Transistor PNP Silicon

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L2SB1197KQLT1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

L2SB1197KQLT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Low Frequency Transistor

PNP Silicon

L2SB1197K LT1

FEATURE

ƽHigh current capacity in compact package.

I_C= í0.8A.

ƽEpitaxial planar type.

ƽNPN complement: L2SD1781K

ƽPb-Free Package is available.

SOT– 23 (TO–236AB)

DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

Device

Marking

Shipping

L2SB1197KQLT1

AHQ

3000/Tape&Reel

COLLECTOR

AHQ

(Pb-Free)

L2SB1197KQLT1G

L2SB1197KRLT1

L2SB1197KRLT1G

3000/Tape&Reel

BASE

AHR

(Pb-Free)

EMITTER

MAXIMUM RATINGS(Ta=25qC)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

VCBO

VCEO

VEBO

−40

−32

−5

−0.8

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

0.2

°C

150

Tstg

−55 to 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25qC)

Parameter

Symbol Min.

Typ.

−

Max.

−

Unit

Conditions

BV^CBO

BVCEO

BVEBO

−40

−32

−5

−

= −50

= −1mA

= −50

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

−

CBO

EBO

CE(sat)

−

−0.5

390

−

µA

CB= −20V

EB= −4V

−

µA

Emitter cutoff current

−

IC/IB= −0.5A/ −50mA

Collector-emitter saturation voltage

DC current transfer ratio

120

−

CE= −3V, I

= −100mA

=50mA, f=100MHz

=0A, f=1MHz

200

MHz

CE= −5V, I

Transition frequency

Cob

−

CB= −10V, I

Output capacitance

h_FEvalues are classified as follows :

Item(*)

h_FE

120~270

180~390

L2SB1197KLT1-1/3

12 3

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