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L2SA1774RT3G

更新时间： 2024-10-28 12:26:39

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	241K
描述
General Purpose Transistors PNP Silicon

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L2SA1774RT3G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	180	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

L2SA1774RT3G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

General Purpose Transistors

PNP Silicon

L2SA1774QT1G

Series

We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

Shipping

Device

Marking

3000/Tape&Reel

L2SA1774QT1G

10000/Tape&Reel

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

L2SA1774QT3G

L2SA1774RT1G

L2SA1774RT3G

L2SA1774ST1G

SC-89

COLLECTOR

L2SA1774ST3G

!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

BASE

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

Limits

−60

Unit

EMITTER

VCBO

CEO

VEBO

−50

−6

−0.15

A (DC)

Collector power

dissipation

0.15

150

˚C

Junction temperature

Storage temperature

Tstg

−

55~+150

!Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Symbol Min.

Typ. Max.

Unit

Conditions

CBO

CEO

EBO

−60

−50

−6

−

−50µA

−1µA

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage BV

−

−50µA

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

CBO

EBO

−

−0.1

−0.5

560

−

µA

=−60V

−

−6V

Emitter cutoff current

CE(sat)

−

−50mA/−5mA

Collector-emitter saturation voltage

DC current transfer ratio

Transition frequency

120

−

−6V, I −1mA

140

4.0

MHz

−12V, I

2mA, f

=30MHz

Cob

−

5.0

0A, f 1MHz

Output capacitance

h^FEvalues are classified as follows:

Item

120~270

180~390

270~560

Rev.O 1/3

12 3

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