5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > L2SA1365FLT1G_15
L2SA1365FLT1G_15 PDF预览

L2SA1365FLT1G_15

更新时间： 2024-10-29 00:59:23
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC /
页数 文件大小 规格书
3页 1087K
描述
General Purpose Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

L2SA1365FLT1G_15 数据手册

 浏览型号L2SA1365FLT1G_15的Datasheet PDF文件第2页浏览型号L2SA1365FLT1G_15的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
General Purpose Transistor  
DESCRIPTION  
L2SA1365*LT1G is a mini packagesilicon PNP epitaxial transistor,  
L2SA1365*LT1G  
S-L2SA1365*LT1G  
designed with high collector current and small VCE(sat).  
F.EATURE  
●Small collector to emitter saturation voltage.  
VCE(sat)=-0.2V typ  
3
●Excellent linearity of DC forward current gain.  
●Super mini package for easy mounting  
●High collector current ICM=-1A  
●High gain band width product fT=180MHz typ  
●We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.  
1
●We declare that the material of product is ROHS compliant  
2
●S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site  
and Control Change Requirements, AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.  
SOT–23  
3
APPLICATION  
COLLECTOR  
Small type motor drive, relay drive, power supply.  
1
BASE  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）  
ORDERING INFORMATION  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
I O  
Parameter  
Ratings  
-25  
Unit  
V
Device  
Marking  
AE  
Shipping  
Collector to Base voltage  
Collector to Emitter voltage  
Emitter to Base voltage  
Collector current  
L2SA1365ELT1G  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
S-L2SA1365ELT1G  
-20  
V
L2SA1365ELT3G  
AE  
S-L2SA1365ELT3G  
-4  
V
L2SA1365FLT1G  
AF  
AF  
S-L2SA1365FLT1G  
7
- 00  
mA  
mW  
℃
℃
L2SA1365FLT3G  
S-L2SA1365FLT3G  
Pc  
Collector dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
L2SA1365GLT1G  
AG  
AG  
Tj  
＋125  
S-L2SA1365GLT1G  
L2SA1365GLT3G  
Tstg  
-55～＋125  
S-L2SA1365GLT3G  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）  
Limits  
Parameter  
Symbol  
Test conditions  
Unit  
Min  
Typ  
-
Max  
-
C to B break down voltage  
V(BR)CBO I C=-10μA , IE =0  
-25  
V
E to B break down voltage  
C to E break down voltage  
Collector cut off current  
Emitter cut off current  
DC forward current gain  
V(BR)EBO  
V(BR)CEO  
ICBO  
I E=-10μA , I C =0  
I C=-100μA ,R BE=∞  
V CB=-25V, I E=0mA  
V EB=-2V, I C=0mA  
V CE=-4V, I C=-100mA  
-4  
-20  
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
-1  
-1  
800  
μA  
μA  
IEBO  
-
hFE  
※
150  
C to E Saturation Vlotage  
Gain bandwidth product  
VCE(sat) I C=-500mA ,IB=-25mA  
fT V CE=-6V, I E=10mA  
-
-
-0.2  
180  
-0.5  
V
-
MHz  
※） It shows hFE classification in below table.  
Item  
Ｅ
Ｆ
Ｇ
150～300  
250～500  
400～800  
ｈＦＥ Item  
Rev.O 1/3  
123

中文翻译

下载PDF

与L2SA1365FLT1G_15相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
L2SA1365FLT3G LRC

获取价格

 		General Purpose Transistor
L2SA1365GLT1G LRC

获取价格

 		General Purpose Transistor
L2SA1365GLT3G LRC

获取价格

 		General Purpose Transistor
L2SA1576AQLT1G LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon
L2SA1576AQLT3G LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon
L2SA1576AQT1 LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon
L2SA1576AQT1G LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon
L2SA1576AQT1G_15 LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors
L2SA1576ART1 LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon
L2SA1576ART1G LRC

获取价格

 		General Purpose Transistors PNP Silicon

与L2SA1365FLT1G_15相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证