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L2N7002LT1G

更新时间： 2024-09-25 11:36:27
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 70K
描述
Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts

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L2N7002LT1G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.37
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.075 A
最大漏极电流 (ID)：0.115 A最大漏源导通电阻：7.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

L2N7002LT1G 数据手册

 浏览型号L2N7002LT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号L2N7002LT1G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Small Signal MOSFET  
115 mAmps, 60 Volts  
N–Channel SOT–23  
L2N7002LT1  
3
• Pb−Free Package is Available.  
1
2
CASE 318, STYLE 21  
SOT– 23 (TO–236AB)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Drain–Gate Voltage (RGS = 1.0 MΩ)  
VDGR  
60  
Vdc  
115 mAMPS  
60 VOLTS  
R DS(on) = 7.5 W  
Drain Current  
ID  
ID  
IDM  
ā115  
ā75  
ā800  
mAdc  
– Continuous TC = 25°C (Note 1.)  
– Continuous TC = 100°C (Note 1.)  
– Pulsed (Note 2.)  
N - Channel  
3
Gate–Source Voltage  
– Continuous  
VGS  
VGSM  
ā20  
ā40  
Vdc  
Vpk  
– Non–repetitive (t ≤ 50 µs)  
p
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
1
Total Device Dissipation FR–5 Board  
(Note 3.) TA = 25°C  
Derate above 25°C  
PD  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
2
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
RθJA  
PD  
556  
300  
°C/W  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Total Device Dissipation  
mW  
mW/°C  
Alumina Substrate,(Note 4.) T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
2.4  
Drain  
3
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
RθJA  
417  
°C/W  
°C  
TJ,  
T
–ā55 to  
+150  
stg  
702  
W
1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain  
current.  
1
Gate  
2
Source  
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
3. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
4. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.025 in 99.5% alumina.  
702  
W
= Device Code  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
Device  
L2N7002LT1  
Marking  
Shipping  
3000 Tape & Reel  
702  
L2N7002LT1G 702(Pb-Free) 3000 Tape & Reel  
L2N7002LT1–1/3  
123

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L2N7002LT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N7002LT1H ONSEMI

功能相似

 75mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, C
2N7000L-T92-R UTC

功能相似

 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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