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L2N7002KLT1G

更新时间： 2024-09-25 12:26:39
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC /
页数 文件大小 规格书
5页 302K
描述
Small Signal MOSFET 380 mAmps, 60 Volts N–Channel SOT–23

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L2N7002KLT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.53
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.32 A最大漏极电流 (ID)：0.32 A
最大漏源导通电阻：2.3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.42 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

L2N7002KLT1G 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Small Signal MOSFET  
380 mAmps, 60 Volts  
L2N7002KLT1G  
N–Channel SOT–23  
3
Features  
• ESD Protected  
1
• Low R  
DS(on)  
2
• Surface Mount Package  
• This is a Pb−Free Device  
CASE 318, STYLE 21  
SOT– 23 (TO–236AB)  
We declare that the material of product are Halogen Free and  
•
compliance with RoHS requirements.  
Applications  
• Low Side Load Switch  
• Level Shift Circuits  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(Note 1)  
(BR)DSS  
DS(on)  
• DC−DC Converter  
• Portable Applications i.e. DSC, PDA, Cell Phone, etc.  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
60 V  
1.8 W @ 10 V  
2.5 W @ 5.0 V  
380 mA  
J
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
V
DSS  
V
GS  
20  
V
Drain Current (Note 1)  
Steady State  
I
D
mA  
Simplified Schematic  
T = 25°C  
A
320  
230  
A
T = 85°C  
t < 5 s  
T = 25°C  
A
380  
270  
A
Gate  
1
T = 85°C  
Power Dissipation (Note 1)  
Steady State  
t < 5 s  
P
D
mW  
300  
420  
3
Drain  
I
1.5  
A
Pulsed Drain Current (t = 10 ms)  
p
DM  
Source  
2
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to  
+150  
°C  
STG  
Source Current (Body Diode)  
I
300  
260  
mA  
S
(Top View)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
°C  
L
Gate−Source ESD Rating  
ESD  
2000  
V
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
(HBM, Method 3015)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Drain  
3
THERMAL CHARACTERISTICS  
RK  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Junction−to−Ambient − Steady State  
(Note 1)  
417  
°C/W  
R
q
JA  
1
Gate  
2
Source  
Junction−to−Ambient − t ≤ 5 s (Note 1)  
R
300  
q
JA  
RK  
W
= Device Code  
=Month Code  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in  
sq [1 oz] including traces)  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Marking  
Shipping  
L2N7002KLT1G  
RK  
3000 Tape & Reel  
Rev .A 1/5  
12345

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