Datasheet > L2N7002KDW1T1G

L2N7002KDW1T1G

更新时间： 2024-10-30 01:21:31

品牌	Logo	应用领域
乐山 - LRC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	602K
描述
Small Signal MOSFET380 mAmps, 60 Volts NâChannel SC-88

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

L2N7002KDW1T1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.71
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.32 A	最大漏源导通电阻：	2.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

L2N7002KDW1T1G 数据手册

L2N7002KDW1T1G

S-L2N7002KDW1T1G

Small Signal MOSFET

380 mAmps, 60 Volts N–Channel SC-88

1. FEATURES

●

We declare that the material of product compliance with

RoHS requirements and Halogen Free.

●

S- prefix for automotive and other applications requiring

unique site and control change requirements; AEC-Q101

qualified and PPAP capable.

SC88(SOT-363)

●

ESD Protected

2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

Device

Marking

Shipping

L2N7002KDW1T1G

L2N7002KDW1T3G

72K

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

72K

3. MAXIMUM RATINGS(Ta = 25ºC)

Parameter

Symbol

VDSS

VGS

Limits

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

±20

Vdc

mAdc

– Steady State TA = 25°C

TA = 85°C

320

230

380

270

1.5

– t<5s

TA = 25°C

TA = 85°C

Pulsed Drain Current (tp=10μs)

IDM

Source Current (Body Diode)

300

4. THERMAL CHARACTERISTICS

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Total Device Dissipation(Note 1)

– Steady State

300

420

– t<5s

Junction−to−Ambient(Note 1)

– Steady State

RΘJA

ºC/W

417

300

260

– t<5s

ºC

Lead Temperature for Soldering

Purposes (1/8 " from case for 10 s)

Junction and Storage temperature

TJ,Tstg −55∼+150

ESD 2000

ºC

Gate−Source ESD Rating(HBM,

Method 3015)

1. FR–5 = 1.0×0.75×0.062 in.

Leshan Radio Company, LTD.

Rev.F Mar 2016

1/6

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与L2N7002KDW1T1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
L2N7002KDW1T3G	LRC	获取价格	Small Signal MOSFET380 mAmps, 60 Volts NâCh
L2N7002KLT1G	LRC	获取价格	Small Signal MOSFET 380 mAmps, 60 Volts NâC
L2N7002KN3T5G	LRC	获取价格	Small Signal MOSFET 380 mAmps, 60 Volts
L2N7002KN3T5G_15	LRC	获取价格	Small Signal MOSFET
L2N7002KWT1G	LRC	获取价格	Small Signal MOSFET380 mAmps, 60 Volts NâCh
L2N7002KWT3G	LRC	获取价格	Small Signal MOSFET380 mAmps, 60 Volts NâCh
L2N7002LT1	LRC	获取价格	Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts
L2N7002LT1G	LRC	获取价格	Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts
L2N7002LT1G_11	LRC	获取价格	Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts NâC
L2N7002LT3G	LRC	获取价格	Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts NâC