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L2N7002KDW1T1G

更新时间： 2024-09-26 01:21:31

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乐山 - LRC		光电二极管晶体管
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6页	602K
描述
Small Signal MOSFET380 mAmps, 60 Volts NâChannel SC-88

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L2N7002KDW1T1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.71
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.32 A	最大漏源导通电阻：	2.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

L2N7002KDW1T1G 数据手册

L2N7002KDW1T1G

S-L2N7002KDW1T1G

Small Signal MOSFET

380 mAmps, 60 Volts N–Channel SC-88

1. FEATURES

●

We declare that the material of product compliance with

RoHS requirements and Halogen Free.

●

S- prefix for automotive and other applications requiring

unique site and control change requirements; AEC-Q101

qualified and PPAP capable.

SC88(SOT-363)

●

ESD Protected

2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

Device

Marking

Shipping

L2N7002KDW1T1G

L2N7002KDW1T3G

72K

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

72K

3. MAXIMUM RATINGS(Ta = 25ºC)

Parameter

Symbol

VDSS

VGS

Limits

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

±20

Vdc

mAdc

– Steady State TA = 25°C

TA = 85°C

320

230

380

270

1.5

– t<5s

TA = 25°C

TA = 85°C

Pulsed Drain Current (tp=10μs)

IDM

Source Current (Body Diode)

300

4. THERMAL CHARACTERISTICS

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Total Device Dissipation(Note 1)

– Steady State

300

420

– t<5s

Junction−to−Ambient(Note 1)

– Steady State

RΘJA

ºC/W

417

300

260

– t<5s

ºC

Lead Temperature for Soldering

Purposes (1/8 " from case for 10 s)

Junction and Storage temperature

TJ,Tstg −55∼+150

ESD 2000

ºC

Gate−Source ESD Rating(HBM,

Method 3015)

1. FR–5 = 1.0×0.75×0.062 in.

Leshan Radio Company, LTD.

Rev.F Mar 2016

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