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L2N7002DW1T1G

更新时间： 2024-09-25 05:41:15

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乐山 - LRC		/
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描述
Small Signal MOSFEO 115 mAmps, 60 Volts

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L2N7002DW1T1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.115 A	最大漏极电流 (ID)：	0.115 A
最大漏源导通电阻：	7.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.38 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON

L2N7002DW1T1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Small Signal MOSFET

115 mAmps, 60 Volts

N–Channel SOT–88

L2N7002DW1T1G/T3G

• ^{Pb−Free Package is Available.}

MAXIMUM RATINGS

Rating

Drain−Source Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

DSS

DGR

Drain−Gate Voltage (R = 1.0 MW)

Vdc

Drain Current

− Continuous T = 25°C (Note 1)

− Continuous T = 100°C (Note 1)

±ꢀ115

±ꢀ75

±ꢀ800

mAdc

− Pulsed (Note 2)

Gate−Source Voltage

− Continuous

±ꢀ20

±ꢀ40

Vdc

Vpk

GSM

− Non−repetitive (t ≤ 50 ms)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation

Per Device

380

250

FR−5 Board (Note 1)

T = 25°C

Derate Above 25°C

3.0

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance,

Junction to Ambient

328

Junction and Storage

Temperature Range

T , T

−55 to +150

°C

stg

1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in

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