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L1SS400BST3G

更新时间： 2024-10-29 01:12:43

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乐山 - LRC		二极管
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3页	194K
描述
Switching Diode

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L1SS400BST3G 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PBCC-N2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PBCC-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	最大重复峰值反向电压：	90 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

L1SS400BST3G 数据手册

L1SS400BST5G

S-L1SS400BST5G

Switching Diode

1. FEATURES

● We declare that the material of product compliance with

RoHS requirements and Halogen Free.

● S- prefix for automotive and other applications requiring

unique site and control change requirements; AEC-Q101

qualified and PPAP capable.

SOD882

● Extremely small surface mounting type.

● High Speed.

Anode

Cathode

● High reliability.

2. Applications

● High speed switching

3. DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES

Device

Marking

Shipping

L1SS400BST1G

L1SS400BST3G

L1SS400BST5G

5000/Tape&Reel

8000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

4. MAXIMUM RATINGS(Ta = 25ºC)

Parameter

Symbol

VRM

Limits

Unit

Peak reverse voltage

DC reverse voltage

IFM

225

Peak forward current

Mean rectifying current

Surge current (1s)

℃

100

Isurge

500

125

Junction temperature

Storage temperature

Tstg

-55~+125

℃

5. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta= 25ºC )

CHARACTERISTICS

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Forward voltage

(IF=100mA)

1.2

0.1

Reverse current

µA

0.72

(VR=80V)

Capacitance between terminals

(VR=0.5V,f=1MHz)

Reverse recovery time

(VR=6V,IF=10mA,RL=100Ω)

Trr

Leshan Radio Company, LTD.

Rev.C Mar. 2018

1/3

12 3

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