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L1SS356T1G

更新时间： 2024-10-29 05:41:15

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乐山 - LRC		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	55K
描述
L1SS356T1G

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L1SS356T1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管类型：	MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	元件数量：	1
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
最大重复峰值反向电压：	35 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

L1SS356T1G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Band Switching Diode

L1SS356T1G

z Applications

High frequency switching

z Features

1) Small surface mounting type.

2) High reliability.

We declare that the material of product

compliance with RoHS requirements.

z Construction

SOD– 323

Silicon epitaxial planar

CATHODE

ANODE

Driver Marking

L1SS356T1G =B

Absolute maximum ratings (T_A=25 C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

DC reverse voltage

DC forward current

Junction temperature

Storage temperature

V_R

I_F

100

T_j

125

T_stg

-55~+125

Electrical characteristics (T_A=25 C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

–

Max. Unit

Conditions

Forwardvoltage

V_F

I_R

–

1.0

1.2

0.9

I_F=10mA

Reverse current

–

Ω

V_R=25V

Capacitance between terminals

Forward operating resistance

C_T

r_F

–

V_R=6V, f =1MHz

I_F=2mA, f =100MHz

–

Ordering Information

Device

Marking

Shipping

L1SS356T1G

3000/Tape&Reel

L1SS356T3G

10000/Tape&Reel

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