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KXU05N25

更新时间： 2024-10-15 18:09:55

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N-Channel MOSFET

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KXU05N25 数据手册

SMD Type

MOSFET

N-Channel MOSFET

KXU05N25

■ Features

● VDS (V) = 250V

TO-252

Unit: mm

+0.15

+0.1

6.50_-0.15

2.30_-0.1

● RDS(ON) ≤ 1Ω (VGS = 10V)

+0.2

+0.8

5.30_-0.2

0.50_-0.7

0.127

max

+0.1

0.80_-0.1

+0.1

0.60_-0.1

2.3

4.60_-0.15

+0.15

1. Gate

2. Drain

3. Source

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

VDSS

VGS

Rating

Unit

250

±20

Gate source voltage

Drain Current — Continuous

Drain Current - Pulsed

Power dissipation

(Note 2)

(Note 1)

- Derate above 25℃

IDM

@ TA = 25℃

0.32

100

W/℃

℃/W

℃

Thermal resistance, junction - ambient

Operating and storage temperature

RthJA

Tj , Tstg

-55 to +150

Note:1.Power rating when mounted on FR-4 glass epoxy printed circuit board using recommended footprint.

2.Pulse Test : Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2%

www.kexin.com.cn

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