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KX90N06

更新时间： 2024-06-27 12:12:45

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N-Channel MOSFET

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KX90N06 数据手册

DIP Type

MOSFET

N-Channel MOSFET

KX90N06

TO-220

4.50

1.30

± 0.20

9.90

(8.70)

ø3.60 0.10

0.20

+0.10

–0.05

■ Features

● V^{DS (V)}= 70V

● ID = 80 A (VGS = 10V)

● R^DS(ON)＜ 7.2mΩ (VGS = 10V)

● Ultra Low On-Resistance

1.27

0.10

1.52

0.80

0.10

+0.10

–0.05

0.50

2.40

± 0.20

2.54TYP

[2.54 0.20 ]

2.54TYP

[2.54 0.20 ]

1 GATE

2 DRAIN

3 SOURCE

10.00

± 0.20

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

Unit

Gate-Source Voltage

±25

Tc=25℃

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Tc=100℃

320

100

0.66

360

Power Dissipation

Tc=25℃

Derating Factor

W/℃

Single Pulse Avalanche Energy

Peak Diode Recovery Voltage

Thermal Resistance.Junction- to-Case

Junction Temperature

dv/dt

V/ns

℃/W

RthJC

1.5

150

℃

Storage Temperature Range

stg

-55 to 150

www.kexin.com.cn

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