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KU82490XP50SX536

更新时间: 2024-11-25 10:02:27
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
166页 7578K
描述
Cache SRAM, 4KX8, 20ns, CMOS, PQFP84

KU82490XP50SX536 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:BQFP, SPQFP84,.8SQReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-PQFP-G84
JESD-609代码:e0内存密度:32768 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:8
端子数量:84字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:4KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BQFP封装等效代码:SPQFP84,.8SQ
封装形状:SQUARE封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.3 A
最小待机电流:4.75 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.3 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.635 mm
端子位置:QUADBase Number Matches:1

KU82490XP50SX536 数据手册

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