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KU2307D

更新时间： 2024-09-13 11:32:27

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KEC		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
4页	56K
描述
N-Ch Trench MOSFET

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KU2307D 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	203 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	79 A	最大漏源导通电阻：	0.0101 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	316 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KU2307D 数据手册

SEMICONDUCTOR

KU2307D

N-Ch Trench MOSFET

TECHNICAL DATA

General Description

This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching

time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche

characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter.

DIM MILLIMETERS

6.60 + 0.20

6.10+0.20

5.34 + 0.30

0.70+0.20

2.70 + 0.15

2.30+0.10

FEATURES

0.96 MAX

0.90 MAX

V_DSS=30V, I_D=79A.

1.80+0.20

Low Drain to Source On-state Resistance.

: R_DS(ON)=5.4mΩ (Max.) @ V_GS=10V

: R_DS(ON)=10.1mΩ (Max.) @ V_GS=4.5V

2.30+0.10

0.50 + 0.10

0.50+0.10

0.70 MIN

1. GATE

2. DRAIN

3. SOURCE

MAXIMUM RATING (Ta=25 Unless otherwise Noted)

CHARACTERISTIC

Drain to Source Voltage

SYMBOL RATING UNIT

DPAK (1)

V_DSS

V_GSS

I_D

Marking

Gate to Source Voltage

316

203

DC@T_C=25

Pulsed

(Note1)

(Note2)

(Note3)

(Note1)

(Note2)

Drain Current

I_DP

E_AS

Single Pulsed Avalanche Energy

@T_C=25

@Ta=25

Type Name

Lot No

KU2307

P_D

Drain Power Dissipation

3.8

150

T_j

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

-55 150

2.2

R_thJC

R_thJA

Thermal Resistance, Junction to Case

(Note1)

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note2)

Note 1) R_thJCmeans that the infinite heat sink is mounted.

Note 2) Surface Mounted on 1″ 1″Pad of 2 oz copper.

Note 3) L=32.5 H, I_AS=79A, V_DD=15V, V_GS=10V, Starting T_j=25

PIN CONNECTION (TOP VIEW)

2009. 4. 28

Revision No : 0

1/4

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