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KTD718B PDF预览

KTD718B

更新时间： 2024-05-23 22:23:09
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KEC /
页数 文件大小 规格书
2页 442K
描述
TO-3P(N)-E

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KTD718B 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.68外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：55
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：12 MHz
Base Number Matches：1

KTD718B 数据手册

 浏览型号KTD718B的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
KTD718B  
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.  
A
N
O
B
Q
FEATURES  
K
Recommended for 45 50W Audio Frequency Amplifier Output Stage.  
Complementary to KTB688B.  
MILLIMETERS  
_
DIM  
A
+
15.60 0.20  
_
B
C
D
d
+
4.80 0.20  
_
+
19.90 0.20  
_
2.00 0.20  
+
_
+
1.00 0.20  
_
E
+
3.00 0.20  
_
+
3.80 0.20  
F
G
H
I
D
E
_
3.50 + 0.20  
_
13.90 0.20  
+
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
)
_
12.76 0.20  
+
M
d
_
J
23.40 + 0.20  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
K
L
M
1.5+0.15-0.05  
16.50 + 0.30  
_
120  
_
1.40 0.20  
+
P
P
T
_
13.60 + 0.20  
N
O
P
120  
V
_
+
9.60 0.20  
_
+
5.45 0.30  
1
2
3
_
5
V
Q
3.20 0.10  
+
_
+
R
T
18.70 0.20  
0.60+0.15-0.05  
10  
1
A
1. BASE  
2. COLLECTOR (HEAT SINK)  
3. EMITTER  
IB  
Base Current  
A
PC  
80  
W
Collector Power Dissipation (Tc=25  
Junction Temperature  
)
Tj  
150  
TO-3P(N)-E  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
VCB=120V, IE=0  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
10  
10  
-
UNIT  
-
-
A
A
IEBO  
VEB=5V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
-
120  
55  
-
-
-
V(BR)CEO  
hFE (Note)  
VCE(sat)  
VBE  
IC=50mA, IB=0  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
V
VCE=5V, IC=1A  
IC=6A, IB=0.6A  
VCE=5V, IC=5A  
VCE=5V, IC=1A  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
-
160  
2.0  
1.5  
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Voltage  
-
V
V
-
-
fT  
Transition Frequency  
-
12  
170  
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
Note : hFE Classification R:55 110, O:80 160  
2005. 3. 14  
Revision No : 1  
1/2  
12

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