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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | TO-3P(N), 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.34 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 55 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 12 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KTD718B | KEC |
获取价格 |
TO-3P(N)-E |
|
| KTD863 | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (VOLTAGE REGULATOR RELAY RAMP DRIVER, INDUSTRIAL USE) |
|
| KTD863 | CJ |
获取价格 |
Transistor |
|
| KTD863 | UTC |
获取价格 |
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |
|
| KTD863 | CJ |
获取价格 |
TO-92L |
|
| KTD863_15 | UTC |
获取价格 |
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |
|
| KTD863G-GR-T9N-B | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| KTD863G-O-T9N-B | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| KTD863G-O-T9N-K | UTC |
获取价格 |
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |
|
| KTD863G-X-T9N-B | UTC |
获取价格 |
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |
|
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