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KTC4379-O

更新时间： 2024-01-24 19:21:02

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科信 - KEXIN		开关晶体管
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3页	1336K
描述
NPN Transistors

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KTC4379-O 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

KTC4379-O 数据手册

SMD Type

Transistors

NPN Transistors

KTC4379

1.70 0.1

■ Features

● Low saturation voltage

● High speed switching time

● Complementary to KTA1666

0.42 0.1

0.46 0.1

1.Base

2.Collector

3.Emitter

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector - Base Voltage

Symbol

Rating

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Collector Current - Continuous

500

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

150

℃

Storage Temperature Range

stg

-55 to 150

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector- base breakdown voltage

Collector- emitter breakdown voltage

Emitter - base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Emitter cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

Ic= 1 mA， I

Ic= 10 mA， I

= 1 mA， I

CB= 50 V , I

EB= 5V , I =0

E= 0

B= 0

C= 0

CBO

EBO

E= 0

100

0.5

Collector-emitter saturation voltage

Base - emitter saturation voltage

CE(sat)

BE(sat)

=1 A, I

=50mA

=1 A, I

1.2

CE= 2V, I

= 500mA

= 1.5 A

240

DC current gain

hFE

Turn on Time

0.1

CC=30V, I

C=1A, IB1=-IB2=-0.05A

Storage Time

stg

Fall Time

0.1

Collector output capacitance

Transition frequency

Cob

^CB= 10V, I

= 0,f=1MHz

^CE= 2V, I

C= 500mA

120

MHz

■ Classification of hfe(1)

Type

Range

Marking

KTC4379-O

70-140

KTC4379-Y

120-240

www.kexin.com.cn

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